2N3838 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3838
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO89-4
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3838
2N3838 Datasheet (PDF)
2n3838 2n4854.pdf
TECHNICAL DATANPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/421 Devices Qualified LevelJAN 2N4854 2N3838 JANTX 2N4854U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3838(2) 2N4854, U Unit Collector-Emitter Voltage 40 40 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 5.0 Vdc TO-78* VEBO 2N4854 Collector
2n2857 2n3839.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n3831.pdf
2N3831Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 40V dia.IC = 1.2A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
Otros transistores... 2N3830L , 2N3831 , 2N3832 , 2N3833 , 2N3834 , 2N3835 , 2N3836 , 2N3837 , S9013 , 2N3839 , 2N384 , 2N3840 , 2N3841 , 2N3842 , 2N3842A , 2N3843 , 2N384-33 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050