2N3839 Todos los transistores

 

2N3839 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3839
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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2N3839 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  central
 2n2857 2n3839.pdf pdf_icon

2N3839

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.1. Size:11K  semelab
 2n3831.pdf pdf_icon

2N3839

2N3831Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 40V dia.IC = 1.2A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

 9.2. Size:135K  microsemi
 2n3838 2n4854.pdf pdf_icon

2N3839

TECHNICAL DATANPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/421 Devices Qualified LevelJAN 2N4854 2N3838 JANTX 2N4854U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3838(2) 2N4854, U Unit Collector-Emitter Voltage 40 40 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 5.0 Vdc TO-78* VEBO 2N4854 Collector

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