IMB2A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IMB2A 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SO6

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IMB2A datasheet

..1. Size:62K rohm
umb2n imb2a b2 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB2N / IMB2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA144E chips in a UMT or SMT package. 2) Same size as UMT3 or SMT3 pack- age, so same mounting machine can be used for both. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in res

..2. Size:68K rohm
emb2 umb2n imb2a umb2n.pdf pdf_icon

EMB2 / UMB2N / IMB2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB2 / UMB2N / IMB2A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT or SMT EMB2 package. (4) ( ) 3 (5) (2) 2) Same size as EMT3 or UMT3 or SMT3 package, so (6) ( ) 1 1.2 same mounting machine can be used for both. 1.6 3) Transistor elements are independent,

0.1. Size:1340K rohm
emb2fha umb2nfha imb2afra.pdf pdf_icon

EMB2 / UMB2N / IMB2A EMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 47kW EMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

Otros transistores... IDI8003, IDI8004, IDI8005, IMB10A, IMB11A, IMB16, IMB17A, IMB1A, 2222A, IMB3A, IMB4A, IMB5A, IMB6A, IMB7A, IMB8A, IMB9A, IMBT3903

IMB2A Datasheet. Equivalente