IMB3A Todos los transistores

 

IMB3A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IMB3A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SO6

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IMB3A datasheet

 ..1. Size:64K  rohm
emb3 umb3n imb3a umb3n.pdf pdf_icon

IMB3A

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB3 1.6 0.5 package. 1.0 0.5 0.5 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( ) 1 2 3 3) Transistor elements are indep

 ..2. Size:50K  rohm
umb3n imb3a b3 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMB3A

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB3N / IMB3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Dual PNP digital transistor (each with single built in resistor) The follow

 0.1. Size:1266K  rohm
emb3fha umb3nfha imb3afra.pdf pdf_icon

IMB3A

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA EMB3 / UMB3N / IMB3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 4.7kW EMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

Otros transistores... IDI8004, IDI8005, IMB10A, IMB11A, IMB16, IMB17A, IMB1A, IMB2A, 2SC5198, IMB4A, IMB5A, IMB6A, IMB7A, IMB8A, IMB9A, IMBT3903, IMBT3904

 

 

 


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