IMB3A Todos los transistores

 

IMB3A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMB3A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SO6
 

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IMB3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  rohm
 emb3 umb3n imb3a umb3n.pdf pdf_icon

IMB3A

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB31.60.5package. 1.00.5 0.52) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4)automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( )1 2 33) Transistor elements are indep

 ..2. Size:50K  rohm
 umb3n imb3a b3 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMB3A

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB3N / IMB3AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureDual PNP digital transistor(each with single built in resistor)The follow

 0.1. Size:1266K  rohm
 emb3fha umb3nfha imb3afra.pdf pdf_icon

IMB3A

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRAEMB3 / UMB3N / IMB3ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R14.7kWEMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)

Otros transistores... IDI8004 , IDI8005 , IMB10A , IMB11A , IMB16 , IMB17A , IMB1A , IMB2A , 2SC2383Y , IMB4A , IMB5A , IMB6A , IMB7A , IMB8A , IMB9A , IMBT3903 , IMBT3904 .

 

 
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