IMB9A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMB9A
Código: B9
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SO6
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IMB9A datasheet
emb9 umb9n imb9a.pdf
EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB9 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3) (5) (2) 3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1) 1.2 interference. 1.6 4)
umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMB9N / IMB9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA114Ys in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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