IMB9A Todos los transistores

 

IMB9A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMB9A
   Código: B9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SO6
 

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IMB9A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  rohm
 emb9 umb9n imb9a.pdf pdf_icon

IMB9A

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. EMB92) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. (4) (3)(5) (2)3) Transistor elements are independent, eliminating (6) (1)1.2interference. 1.64)

 ..2. Size:62K  rohm
 umb9n imb9a b9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

IMB9A

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB9N / IMB9AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Ys in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon

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History: BCM847DS | 2SC1126

 

 
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