IMH10A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMH10A
Código: H10
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 33
Encapsulados: SO6
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IMH10A datasheet
umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN
chimh10gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH10GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio
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History: 2SA787
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Liste
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