IMH10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IMH10A
Маркировка: H10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
Корпус транзистора: SO6
IMH10A Datasheet (PDF)
umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN
chimh10gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH10GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio
Другие транзисторы... IMD14 , IMD16A , IMD1A , IMD2A , IMD3A , IMD6A , IMD8A , IMD9A , B647 , IMH11A , IMH14A , IMH1A , IMH2A , IMH3A , IMH4A , IMH5A , IMH6A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p



