IMH10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH10A  📄📄 

Маркировка: H10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SO6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH10A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH10A даташит

 ..1. Size:61K  rohm
 umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

IMH10A

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN

 9.1. Size:192K  chenmko
 chimh10gp.pdf pdf_icon

IMH10A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH10GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio

Другие транзисторы: IMD14, IMD16A, IMD1A, IMD2A, IMD3A, IMD6A, IMD8A, IMD9A, B647, IMH11A, IMH14A, IMH1A, IMH2A, IMH3A, IMH4A, IMH5A, IMH6A