IR1000 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IR1000
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de IR1000
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IR1000 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... IMX3, IMX4, IMX5, IMX9, IMZ1A, IMZ2A, IMZ4, IN6542, D882, IR1001, IR1010, IR1020, IR2000, IR2002, IR2500, IR2501, IR2700
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330