IR1000 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IR1000  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IR1000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IR1000 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: IMX3, IMX4, IMX5, IMX9, IMZ1A, IMZ2A, IMZ4, IN6542, D882, IR1001, IR1010, IR1020, IR2000, IR2002, IR2500, IR2501, IR2700