IR4026 Todos los transistores

 

IR4026 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IR4026
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IR4026 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:321K  vishay
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IR4026

SiR402DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3530 12 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONSS

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