IR4039 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IR4039
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO3
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IR4039 datasheet
sir403edp.pdf
New Product SiR403EDP Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switch applications VDS (V) RDS(on) ( ) Max. IDa, e Qg (Typ.) Extremely low RDS(on) 0.0065 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested 0.0082 at VGS = - 6 V - 40 66 nC - 30 Typical ESD Performan
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History: GT400-5D
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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