IR4039 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IR4039  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IR4039

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IR4039 даташит

 9.1. Size:358K  vishay
sir403edp.pdfpdf_icon

IR4039

New Product SiR403EDP Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switch applications VDS (V) RDS(on) ( ) Max. IDa, e Qg (Typ.) Extremely low RDS(on) 0.0065 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested 0.0082 at VGS = - 6 V - 40 66 nC - 30 Typical ESD Performan

Другие транзисторы: IR2501, IR2700, IR2701, IR3000, IR3001, IR4010, IR4025, IR4026, S8550, IR4040, IR4041, IR4045, IR4046, IR4047, IR4050, IR4055, IR4059