2N385 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N385
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N385

2N385 Datasheet (PDF)

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2n3859a.pdf

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

0.2. Size:154K no
2n3858.pdf