J585 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J585
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.674 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de J585
J585 Datasheet (PDF)
2sj585ls.pdf

Ordering number:ENN6412P-Channel Silicon MOSFET2SJ585LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ585LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
Otros transistores... J463 , J464 , J465 , J466 , J581 , J582 , J583 , J584 , BC337 , J586 , J587 , J588 , J589 , J594 , J596 , J623 , J624 .
History: D40DU2 | KT3107E | HSE175
History: D40DU2 | KT3107E | HSE175



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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