J585. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: J585
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.674 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO22
Аналоги (замена) для J585
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
J585 даташит
2sj585ls.pdf
Ordering number ENN6412 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ585LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SJ585LS] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Specifications Absolute
Другие транзисторы: J463, J464, J465, J466, J581, J582, J583, J584, 2SA1943, J586, J587, J588, J589, J594, J596, J623, J624
History: 2SD1444
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933

