2N3855A Todos los transistores

 

2N3855A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3855A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2N3855A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:58K  fairchild semi
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2N3855A

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.2. Size:154K  no
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2N3855A

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf pdf_icon

2N3855A

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