2N3856 Todos los transistores

 

2N3856 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3856
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 18 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N3856 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:58K  fairchild semi
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2N3856

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.2. Size:154K  no
2n3858.pdf pdf_icon

2N3856

Otros transistores... 2N3850 , 2N3851 , 2N3852 , 2N3853 , 2N3854 , 2N3854A , 2N3855 , 2N3855A , 2222A , 2N3856A , 2N3857 , 2N3858 , 2N3858A , 2N3859 , 2N3859A , 2N385A , 2N386 .

History: 2SD1040A | 2N6098 | BCW31LT3 | DTA143EM3T5G | 2SB736AR | 2N3927 | ESM4020

 

 
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