K2108B Todos los transistores

 

K2108B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2108B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO50
 

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K2108B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:92K  sanyo
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K2108B

Ordering number:ENN4602AN-Channel Silicon MOSFET2SK2108Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SK2108] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO

 9.2. Size:214K  inchange semiconductor
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K2108B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2108DESCRIPTIONDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 250 VD

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History: SGSIF345 | DTC114WS3

 

 
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