K2109B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2109B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO72

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K2109B datasheet

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K2109B

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2109 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type and PACKAGE DIMENSIONS (in mm) is a switching element that can be directly driven by the output of 4.5 0.1 an IC operating at 5 V. 1.5 0.1 1.6 0.2 This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ide

 9.2. Size:672K  kexin
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K2109B

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2109 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 0.5A RDS(ON) 1 (VGS = 4V) 0.42 0.1 0.46 0.1 Drain (D) RDS(ON) 0.8 (VGS = 10V) Gate (G) Internal diode 1.Gate Gate protection 2.Drain diode 3.Source Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V

Otros transistores... K2107, K2107A, K2107B, K2108, K2108A, K2108B, K2109, K2109A, A1941, K2110, K2110A, K2110B, K2111, K2111A, K2111B, K2112A, K2112B