K2116A Todos los transistores

 

K2116A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2116A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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K2116A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  hitachi
 2sk2116 2sk2117.pdf pdf_icon

K2116A

2SK2116, 2SK2117Silicon N-Channel MOS FETADE-208-1347 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulatorOutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2116, 2SK2117Ordering InformationType No. VD

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sk2116.pdf pdf_icon

K2116A

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2116DESCRIPTIONDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 450 VD

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History: ZTX341K | 2N3501S | 2SD102 | 2SA1405F | FE3729

 

 
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