K2116B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2116B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO72

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K2116B datasheet

 9.1. Size:32K  hitachi
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K2116B

2SK2116, 2SK2117 Silicon N-Channel MOS FET ADE-208-1347 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2116, 2SK2117 Ordering Information Type No. VD

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
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K2116B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2116 DESCRIPTION Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 450 V D

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