K2117B Todos los transistores

 

K2117B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2117B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar K2117B

 

K2117B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:32K  hitachi
 2sk2116 2sk2117.pdf pdf_icon

K2117B

2SK2116, 2SK2117 Silicon N-Channel MOS FET ADE-208-1347 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2116, 2SK2117 Ordering Information Type No. VD

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sk2117.pdf pdf_icon

K2117B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2117 DESCRIPTION Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V D

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History: 2SD1835 | DDTA114WUA | BFW80 | BDAP55 | 2SD1897 | 2SD1975 | BD373D-10

 

 
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