Биполярный транзистор K2117B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: K2117B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO72
K2117B Datasheet (PDF)
2sk2116 2sk2117.pdf
2SK2116, 2SK2117Silicon N-Channel MOS FETADE-208-1347 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulatorOutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2116, 2SK2117Ordering InformationType No. VD
2sk2117.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2117DESCRIPTIONDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VD
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
