K2117B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2117B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2117B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2117B даташит

 9.1. Size:32K  hitachi
 2sk2116 2sk2117.pdf pdf_icon

K2117B

2SK2116, 2SK2117 Silicon N-Channel MOS FET ADE-208-1347 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2116, 2SK2117 Ordering Information Type No. VD

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sk2117.pdf pdf_icon

K2117B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2117 DESCRIPTION Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V D

Другие транзисторы: K2114A, K2114B, K2115, K2115A, K2115B, K2116A, K2116B, K2117A, TIP35C, K2118, K2118A, K2118B, K2119, K2119A, K2119B, K2120, K2120A