KSA539O Todos los transistores

 

KSA539O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA539O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSA539O Datasheet (PDF)

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KSA539O

KSA539Low Frequency Amplifier Complement to KSC815 Collector-Base Voltage: VCBO = -60V Collector Power Dissipation: PC = 400mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO C

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History: SBC856BDW1T3G | BF311 | KSA1220AO | DRC5643T | 2N5210 | CD96 | BD588

 

 
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