KSA539O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSA539O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSA539O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSA539O даташит

 8.1. Size:37K  fairchild semi
 ksa539.pdf pdf_icon

KSA539O

KSA539 Low Frequency Amplifier Complement to KSC815 Collector-Base Voltage VCBO = -60V Collector Power Dissipation PC = 400mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO C

Другие транзисторы: KSA473, KSA473O, KSA473Y, KSA5033, KSA5034, KSA5037, KSA5055, KSA539, BD135, KSA539R, KSA539Y, KSA542, KSA542G, KSA542O, KSA542R, KSA542Y, KSA545