KSB601O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSB601O

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de KSB601O

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KSB601O datasheet

 8.1. Size:48K  fairchild semi
 ksb601.pdf pdf_icon

KSB601O

KSB601 Low Frequency Power Amplifier Medium Speed Switching Industrial Use Complement to KSD560 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC C

Otros transistores... KSB564, KSB564A, KSB564AG, KSB564AO, KSB564AY, KSB595, KSB596, KSB601, NJW0281G, KSB601R, KSB707, KSB707O, KSB707R, KSB707Y, KSB708, KSB708O, KSB708R