KSB772G Todos los transistores

 

KSB772G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSB772G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSB772G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:76K  fairchild semi
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KSB772G

KSB772Audio Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Complement to KSD882TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 30 VVEBO Emitter-Base Voltage - 5 VIC Collector Current (DC) - 3

 8.2. Size:225K  onsemi
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KSB772G

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: 2SD51 | 2SC3352 | BP30-12 | 2N3501S | 2N94A | DSC8102 | AD1203

 

 
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