KSC1173O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSC1173O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220

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KSC1173O datasheet

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KSC1173O

August 2009 KSC1173 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator Collector Current IC=3A Collector Dissipation PC=10W (TC=25 C) Complement to KSA473 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings * TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 30 V BVC

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KSC1173O

KSC1187 TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product fT=700MHz High Power Gain GPE=24dB (TYP.) at f=45MHz TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20

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