KSC1730O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSC1730O 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 800 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO92
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KSC1730O datasheet
ksc1730.pdf
DIP Type Transistors NPN Transistors KSC1730 TO-92 Unit mm +0.25 4.58 0.15 Features High Current Gain Bandwidth Product fT=1100MHz 0.46 0.10 Output Capacitance COB=1.5pF (MAX.) +0.10 1.27TYP 1.27TYP 0.38 0.05 1 2 3 [1.27 0.20] [1.27 0.20] 3.60 0.20 1. Emitter 2. Collector (R2.29) 3. Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symb
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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