KSC1730O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC1730O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSC1730O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC1730O даташит

 7.1. Size:91K  samsung
 ksc1730.pdf pdf_icon

KSC1730O

 7.2. Size:1020K  kexin
 ksc1730.pdf pdf_icon

KSC1730O

DIP Type Transistors NPN Transistors KSC1730 TO-92 Unit mm +0.25 4.58 0.15 Features High Current Gain Bandwidth Product fT=1100MHz 0.46 0.10 Output Capacitance COB=1.5pF (MAX.) +0.10 1.27TYP 1.27TYP 0.38 0.05 1 2 3 [1.27 0.20] [1.27 0.20] 3.60 0.20 1. Emitter 2. Collector (R2.29) 3. Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symb

Другие транзисторы: KSC1674O, KSC1674R, KSC1674Y, KSC1675, KSC1675O, KSC1675R, KSC1675Y, KSC1730, BC639, KSC1730R, KSC1730Y, KSC184, KSC1845, KSC1845E, KSC1845F, KSC1845P, KSC1845V