KSC2500B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSC2500B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO92

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KSC2500B datasheet

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KSC2500B

KSC2500 Medium Power Amplifier & Low Saturation TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 2 A ICP * Co

 7.2. Size:58K  samsung
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KSC2500B

KSC2500 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER AMPLIFIER TO-92L LOW SATURATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Collector-Emitter Voltage VCBO 10 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 2 A Collector Current (Pulse) IC 5 A Base Current A IB 0.5 Collecto

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