KSC388 Todos los transistores

 

KSC388 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC388
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSC388 Datasheet (PDF)

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KSC388

KSC388TV Final Picture IF Amplifier Applications GPE= 33dB (TYP) at f=45MHz Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 V

 ..2. Size:59K  samsung
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KSC388

KSC388 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONSTO-92 GPE= 33dB (Typ) (f=45MHz)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 50 mACollector Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150 Storage

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History: NPS2711 | 2SC4162M

 

 
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