KSC388 Todos los transistores

 

KSC388 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC388
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSC388 PDF detailed specifications

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KSC388

KSC388 TV Final Picture IF Amplifier Applications GPE= 33dB (TYP) at f=45MHz Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V... See More ⇒

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KSC388

KSC388 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS TO-92 GPE= 33dB (Typ) (f=45MHz) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage... See More ⇒

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