KSC5021F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSC5021F  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 18 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220F

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KSC5021F datasheet

 7.1. Size:302K  fairchild semi
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KSC5021F

October 2008 KSC5021 NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units 800 V VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 7 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 A IC C

 7.2. Size:72K  samsung
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KSC5021F

KSC5021 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING tf = 0.1 (Typ) WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 800 V Collector-Emitter Voltage VCEO 500 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 5 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 2 A 1.Base 2.Collec

 7.3. Size:87K  inchange semiconductor
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KSC5021F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5021 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage and high reliability High speed switching Wide area of safe operation PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO

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