KSC5328 Todos los transistores

 

KSC5328 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC5328
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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KSC5328 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:29K  samsung
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KSC5328

NPN TRIPLE DIFFUSEDKSC5321F PLANAR SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220F High speed Switching Wide Safe Operating AreaABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 800 V Collector Emitter Voltage VCEO 500 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current DC IC 5 APulse ICP 10 Base Current DC IB 2 APu

 8.2. Size:28K  samsung
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KSC5328

NPN TRIPLE DIFFUSEDKSC5321 PLANAR SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220 High speed Switching Wide Safe Operating AreaABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 800 V Collector Emitter Voltage VCEO 500 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current DC IC 5 APulse ICP 10 Base Current DC IB 2 A1.Ba

 8.3. Size:150K  inchange semiconductor
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KSC5328

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5321 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR) CEO= 500V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collec

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History: ASZ23 | BFV81 | TIP540 | PDTC124TU | NB021EL | CHDTC143EKGP | BFV71N

 

 
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