KSD1021O Todos los transistores

 

KSD1021O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD1021O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 16 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSD1021O Datasheet (PDF)

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KSD1021O

KSD1021Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSB811 Collector Current : IC=1A Collector Dissipation : PC=350mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Vo

 7.2. Size:53K  samsung
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KSD1021O

KSD1021 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERTO-92 Complement to KSB811 Collector Current IC=1A Collector Dissipation PC=350mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1 ACollector Dissipation

 8.1. Size:39K  fairchild semi
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KSD1021O

KSD1020Audio Frequency Amplifier Complement to KSB810TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0 VIC Collector Current (DC) 700 mAICP * Collector Current (Puls

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History: 2SB1094 | SD460 | 3DD159F | 2SC6024 | MS1226 | SD453 | KTC811T

 

 
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