KSD1221 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSD1221
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
KSD1221 Datasheet (PDF)
ksd1221.pdf

KSD1221Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB9061I-PACK1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector C
ksd1222.pdf

KSD1222Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Built in a Damper Diode at E-C Darlington TR Complement to KSB9071I-PAK1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO
ksd1273.pdf

KSD1273High hFE, AF Power Amplifier Full PAK Package for Simplified Mounting Only by a Screw, Requires no Insulator.TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC2959 | 2SA1480E | MUN5116DW1T1G | 2N4355 | 2SA909 | 2N1196
History: 2SC2959 | 2SA1480E | MUN5116DW1T1G | 2N4355 | 2SA909 | 2N1196



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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