Биполярный транзистор KSD1221 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD1221
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO252
KSD1221 Datasheet (PDF)
ksd1221.pdf
KSD1221Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB9061I-PACK1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector C
ksd1222.pdf
KSD1222Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Built in a Damper Diode at E-C Darlington TR Complement to KSB9071I-PAK1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO
ksd1273.pdf
KSD1273High hFE, AF Power Amplifier Full PAK Package for Simplified Mounting Only by a Screw, Requires no Insulator.TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
