2N396A Todos los transistores

 

2N396A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N396A

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 24 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO5

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2N396A datasheet

 9.1. Size:238K  rca
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2N396A

 9.2. Size:10K  semelab
 2n3964dcsm.pdf pdf_icon

2N396A

2N3964DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 45V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.0

 9.3. Size:43K  microelectronics
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2N396A

 9.4. Size:43K  semicoa
 2n3960.pdf pdf_icon

2N396A

Data Sheet No. 2N3960 Generic Part Number Type 2N3960 2N3960 Geometry 0003 Polarity NPN REF MIL-PRF-19500/399 Qual Level JAN - JANTXV Features General-purpose low-power NPN silicon transistor. Housed in TO-18 case. Also available in chip form using the 0003 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/399 which Semicoa meets in all cases.

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History: FTC4617 | 2SC4487T-AN | CT770 | BC416CP | 2SC3091 | HUN2240

 

 

 

 

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