KSD2012 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSD2012  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO220

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KSD2012 datasheet

 ..1. Size:46K  fairchild semi
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KSD2012

KSD2012 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSB1366 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector

 9.1. Size:46K  fairchild semi
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KSD2012

KSD2058 Low Frequency Power Amplifier TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.5 A PC Collector Dissipation (Ta=25 C) 1.5

 9.2. Size:120K  inchange semiconductor
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KSD2012

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSD2058 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type KSB1366 APPLICATIONS With general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNIT VCBO

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