KSD5070 Todos los transistores

 

KSD5070 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD5070
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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Principales características: KSD5070

 ..1. Size:128K  inchange semiconductor
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KSD5070

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5070 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage

 8.1. Size:61K  njs
 ksd5079.pdf pdf_icon

KSD5070

 8.2. Size:24K  samsung
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KSD5070

NPN TRIPLE DIFFUSED KSD5071 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT TO-3PF APPLICATION (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Switching Speed (tf. max=0.4uS) ABSOLUTE MAXIMUM RATING Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector

 8.3. Size:24K  samsung
 ksd5075pfc.pdf pdf_icon

KSD5070

NPN TRIPLE DIFFUSED KSD5075 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT TO-3PF APPLICATION (NO Damper Diode) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Speed Switching (tf. max=0.4uS) ABSOLUTE MIXIMUM RATING Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO 1500 V Collector- Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector Cur

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