KSD985O Todos los transistores

 

KSD985O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD985O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KSD985O Datasheet (PDF)

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KSD985O

KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

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History: 3DD4617H-R | FMMT2906R | LMUN5114DW1T1G | D40CU2 | 2SC1267 | 2SAB40 | STD123S

 

 
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