KSD985O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSD985O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7000

Encapsulados: TO126

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KSD985O datasheet

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KSD985O

KSD985/986 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage KSD985 60 V KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

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