KSD985O - описание и поиск аналогов

 

KSD985O - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSD985O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7000
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSD985O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD985O - технические параметры

 8.1. Size:50K  fairchild semi
 ksd985.pdf pdf_icon

KSD985O

KSD985/986 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage KSD985 60 V KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

Другие транзисторы... KSD880O , KSD880Y , KSD882 , KSD882G , KSD882O , KSD882R , KSD882Y , KSD985 , 2SA1015 , KSD985R , KSD985Y , KSD986 , KSD986O , KSD986R , KSD986Y , KSE13003 , KSE13004 .

 

 
Back to Top

 


 
.