KSD985O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD985O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7000

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD985O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD985O даташит

 8.1. Size:50K  fairchild semi
 ksd985.pdf pdf_icon

KSD985O

KSD985/986 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage KSD985 60 V KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

Другие транзисторы: KSD880O, KSD880Y, KSD882, KSD882G, KSD882O, KSD882R, KSD882Y, KSD985, 2SA1015, KSD985R, KSD985Y, KSD986, KSD986O, KSD986R, KSD986Y, KSE13003, KSE13004