KSD986O Todos los transistores

 

KSD986O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD986O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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Principales características: KSD986O

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KSD986O

KSD985/986 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage KSD985 60 V KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

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