KSE170 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSE170

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO126

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KSE170 datasheet

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KSE170

KSE170/171/172 Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE170 - 60 V KSE171 - 80 V KSE172 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE170 - 40 V KSE171 - 60

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KSE170

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER TO-126 LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE170 VCBO -60 V KSE171 -80 V KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage KSE170 VCEO -40 V KSE171 -60 V KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V 1. Em

Otros transistores... KSE13005, KSE13005F, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, KSE13009F, B647, KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210, KSE2955T