Справочник транзисторов. KSE170

 

Биполярный транзистор KSE170 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSE170
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для KSE170

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse170 kse171 kse172.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSE170 - 60 V: KSE171 - 80 V: KSE172 - 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSE170 - 40 V: KSE171 - 60

 ..2. Size:31K  samsung
 kse170.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW POWER AUDIO AMPLIFIERTO-126LOW CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE170 VCBO -60 V : KSE171 -80 V : KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage : KSE170 VCEO -40 V : KSE171 -60 V : KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V1. Em

Другие транзисторы... KSE13005 , KSE13005F , KSE13006 , KSE13007 , KSE13007F , KSE13008 , KSE13009 , KSE13009F , 2SD882 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , KSE2955T .

History: NKT304 | BLU20-12 | NTE2558 | DMA2610M | NTE2403 | BF263 | GET5307

 

 
Back to Top

 


 
.