KSE170 - описание и поиск аналогов

 

KSE170 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSE170
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE170

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE170 - технические параметры

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse170 kse171 kse172.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172 Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE170 - 60 V KSE171 - 80 V KSE172 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE170 - 40 V KSE171 - 60

 ..2. Size:31K  samsung
 kse170.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER TO-126 LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE170 VCBO -60 V KSE171 -80 V KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage KSE170 VCEO -40 V KSE171 -60 V KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V 1. Em

Другие транзисторы... KSE13005 , KSE13005F , KSE13006 , KSE13007 , KSE13007F , KSE13008 , KSE13009 , KSE13009F , B647 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , KSE2955T .

 

 
Back to Top

 


 
.