Справочник транзисторов. KSE170

 

Биполярный транзистор KSE170 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE170
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE170

 

 

KSE170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
kse170 kse171 kse172.pdf

KSE170
KSE170

KSE170/171/172Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSE170 - 60 V: KSE171 - 80 V: KSE172 - 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSE170 - 40 V: KSE171 - 60

 ..2. Size:31K  samsung
kse170.pdf

KSE170
KSE170

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW POWER AUDIO AMPLIFIERTO-126LOW CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE170 VCBO -60 V : KSE171 -80 V : KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage : KSE170 VCEO -40 V : KSE171 -60 V : KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V1. Em

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top