KSE170 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE170  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSE170

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE170 даташит

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse170 kse171 kse172.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172 Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE170 - 60 V KSE171 - 80 V KSE172 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE170 - 40 V KSE171 - 60

 ..2. Size:31K  samsung
 kse170.pdf pdf_icon

KSE170

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER TO-126 LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE170 VCBO -60 V KSE171 -80 V KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage KSE170 VCEO -40 V KSE171 -60 V KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V 1. Em

Другие транзисторы: KSE13005, KSE13005F, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, KSE13009F, B647, KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210, KSE2955T