KSE171 Todos los transistores

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KSE171 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSE171

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 50

Empaquetado / Estuche: TO126

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KSE171 Datasheet (PDF)

1.1. kse170 kse171 kse172.pdf Size:50K _fairchild_semi

KSE171
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KSE170/171/172 Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE170 - 60 V : KSE171 - 80 V : KSE172 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE170 - 40 V : KSE171 - 60 V

5.1. kse170.pdf Size:31K _samsung

KSE171
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KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER TO-126 LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE170 VCBO -60 V : KSE171 -80 V : KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage : KSE170 VCEO -40 V : KSE171 -60 V : KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V 1. Emitt

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