KSE172 Todos los transistores

 

KSE172 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE172
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KSE172 Datasheet (PDF)

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KSE172

KSE170/171/172Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSE170 - 60 V: KSE171 - 80 V: KSE172 - 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSE170 - 40 V: KSE171 - 60

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KSE172

KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW POWER AUDIO AMPLIFIERTO-126LOW CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE170 VCBO -60 V : KSE171 -80 V : KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage : KSE170 VCEO -40 V : KSE171 -60 V : KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V1. Em

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History: 2N6048 | 2SD13 | D40D8 | 2SC1403A | BD178 | 2N1615

 

 
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