KSE172 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSE172
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSE172
KSE172 Datasheet (PDF)
kse170 kse171 kse172.pdf
KSE170/171/172Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSE170 - 60 V: KSE171 - 80 V: KSE172 - 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSE170 - 40 V: KSE171 - 60
kse170.pdf
KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW POWER AUDIO AMPLIFIERTO-126LOW CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE170 VCBO -60 V : KSE171 -80 V : KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage : KSE170 VCEO -40 V : KSE171 -60 V : KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V1. Em
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050