KSE172 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSE172
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO126
KSE172 Datasheet (PDF)
kse170 kse171 kse172.pdf
KSE170/171/172 Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE170 - 60 V KSE171 - 80 V KSE172 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE170 - 40 V KSE171 - 60
kse170.pdf
KSE170/171/172 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER TO-126 LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE170 VCBO -60 V KSE171 -80 V KSE172 -100 V Collector-Emitter Voltage KSE170 VCEO -40 V KSE171 -60 V KSE172 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V 1. Em
Другие транзисторы... KSE13006 , KSE13007 , KSE13007F , KSE13008 , KSE13009 , KSE13009F , KSE170 , KSE171 , D667 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630



