KSE180 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSE180

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO126

 Búsqueda de reemplazo de KSE180

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KSE180 datasheet

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse180 kse181 kse182.pdf pdf_icon

KSE180

KSE180/181/182 Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE180 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE180 40 V KSE181 60 V

 ..2. Size:56K  samsung
 kse180.pdf pdf_icon

KSE180

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESIGNED FOR LOW POWER AUDIO TO-126 AMPLIFIER AND LOW CURRENT HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE180 VCBO 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO KSE180 40 V KSE181 60 V KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Otros transistores... KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, KSE13009F, KSE170, KSE171, KSE172, BD333, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210, KSE2955T, KSE3055T, KSE340, KSE350