Справочник транзисторов. KSE180

 

Биполярный транзистор KSE180 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE180
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE180

 

 

KSE180 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  fairchild semi
kse180 kse181 kse182.pdf

KSE180
KSE180

KSE180/181/182Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching ApplicationsTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE180 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE180 40 V : KSE181 60 V

 ..2. Size:56K  samsung
kse180.pdf

KSE180
KSE180

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDESIGNED FOR LOW POWER AUDIOTO-126AMPLIFIER AND LOW CURRENTHIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage : KSE180 VCBO 60 V : KSE181 80 V : KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO : KSE180 40 V : KSE181 60 V : KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top