KSE180 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE180  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSE180

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE180 даташит

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 kse180 kse181 kse182.pdf pdf_icon

KSE180

KSE180/181/182 Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE180 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE180 40 V KSE181 60 V

 ..2. Size:56K  samsung
 kse180.pdf pdf_icon

KSE180

KSE180/181/182 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESIGNED FOR LOW POWER AUDIO TO-126 AMPLIFIER AND LOW CURRENT HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage KSE180 VCBO 60 V KSE181 80 V KSE182 100 V Collector-Emitter Voltage VCEO KSE180 40 V KSE181 60 V KSE182 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7

Другие транзисторы: KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, KSE13009F, KSE170, KSE171, KSE172, BD333, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210, KSE2955T, KSE3055T, KSE340, KSE350